结场效应晶体管
它被定义为当漏极电压UDS恒定时漏极电流ID和栅极电压UGS之间的关系，即，结型场效应晶体管的传输特性曲线如图所示。在图中，Up是夹断电压，源极和漏极之间的电阻趋于无穷大，管被切断。
在UP电压之后，如果UGS继续增加，则可能发生反向击穿并且管可能被损坏。当测量结FET的传输特性曲线时，要求UDS足够大，通常UDS = | UP |，然后UCS从零增加到Up，并测量相应的ID值。
获得传递特性曲线。在该图中，UGS = O的对应值称为漏极饱和电流IDSS°。
当UGS变为负值时，IS将下降直到UGS = UP，即图中的3.4V，ID等于零。利用传递特性曲线，只要给出UDS，就可以找到相应的ID。
（2）输出特性UDS与ID之间的关系称为输出特性。如果它由曲线表示，则该曲线称为输出特性曲线。
其定义为：当栅极电压UGS恒定时，ID随UDS变化，即结FET的输出特性曲线如图所示。从图中可以看出，结型场效应晶体管的输出特性曲线分为三个区域，即可变电阻区域，饱和区域和击穿区域。
当UDS较小时，在漏极附近不会发生预钳位，因此当UDS增加时，磅会增加。这是曲线的上升部分，它基本上是通过原点的直线，此时管可以看作是可变电阻。
当UDS增加到一定程度时，会产生预夹点，因此尽管UDS再次增加，但IS不会改变。因此，预夹点的轨迹是两个工作状态之间的边界。
通过连接曲线上UDS = UGS-UP的点，您可以获得预夹点的轨迹，如图左侧的虚线所示。对应于不同UGS值的轨迹左侧的每条线通常被称为可变电阻区域;轨迹右侧的水平直线区域称为饱和区域，当结FET用于放大时，它通常在饱和区域中操作。
结场效应晶体管的输出特性曲线将继续增加UDS，这将导致反向偏置PN结击穿。此时，IS将突然增加并且管将进入击穿区域。
管道进入击穿区域后，如果不受限制，将导致管道损坏。结场效应晶体管P1沟道结场效应晶体管特性曲线的输出特性曲线，除了电流和电压的方向与N沟道结场效应晶体管的方向相反，两者的其他特性完全相似。
（3）结型场效应管的放大结型场效应管的放大效应通常是指电压放大，可以通过图中所示的电路来说明。当变化的电压施加到输入回路时，它将引起漏极电流的变化。
如果正确选择负载电阻器RL，则可以使输出端的电压变化比输入端的电压大许多倍，从而放大电压。例如，如果输入电压从OV变为-1V，则变化1V。
此时，ID从5mA减少到2.1mA。当2.9mA改变时，在5.1kΩ负载电阻的两端可以获得2.95X5.1≈14.8V。
电压变化使FET放大输入电压14.8倍。结点场效应晶体管的引脚识别2009年6月18日星期四19:00判断门G：将万用表拨到R×1k，用万用表的负极连接电极，另一个仪表接触其余电极。
测量两个极，并且如果测量的电阻值大约相等，则负触摸笔接触栅极，而另外两个电极是漏极和源极。漏极和源极是可互换的，如果两个如果测得的电阻很大，则为N沟道;如果测得的电阻很小，那就是P沟道。
确定源极S和漏极D：源极和漏极之间存在PN结。因此，根据PN结的正电阻和负电阻之间的差异，可以识别S极和D极。
通过交换计方法测量电阻两次。电阻值较低（通常为几千欧姆至一万欧姆），初级电阻为正向电阻。
此时，黑色表笔是S极，红色表笔连接到D极。结场效应晶体管的分析总结如下：1。
可变电阻区（不饱和）：当Uds = 0或非常小时，耗尽层几乎不受漏极和源极之间电压的影响，仅在栅极之间和来源。电压的影响，当| Ugs |随着电流特性的增加，耗电量逐渐增大，这反映在电气特性上，即漏极电阻之间的电阻增加;这是预先夹紧之间的特征; 2.恒定电流特性（饱和）：预夹紧和夹断之间的电气特性。
当Ugs电压在Ugs（off）~~ 0v范围内的恒定值时，电流id不随Uds的变化而变化，电压Uds增加的耗尽层也在增加，即电阻之间的电阻。 DS也在增加，id = Uds / Rds的特征是id是一个常数值（增加很小但基本恒定），如果管用作放大管，它需要在这个间隔内工作。
原因是Uds对该区间中的电流影响很小（恒定电流特性），当Uds在这里时，可以将其视为仅由Ugs控制的电流源。当间隔恒定时，电流随| Ugs |增加，因此他是电压控制电流的放大分量（三极管是电流控制电流的放大分量）; 3.夹断区域（关闭）当| Ugs |＆amp; gt; | Ugs（off）|时，id几乎等于0; 4.击穿区域：当Uds达到一定的电压水平时，栅极 - 漏极耗尽层被破坏，并且id突然增加。
了解功率控制组件和电流控制组件之间的区别。
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