二极管

1.整流二极管利用二极管的单向导通特性将交流方向交替转换为脉动直流电2的单向。

齐纳二极管的反向击穿电压是恒定的，可以在击穿后恢复，这个功能可以实现。

调节器电路。

3.限制元件二极管转发后，其正向压降保持基本相同（硅管为0.7V，钽管为0.3V）。

使用该特征，作为电路中的限制部件，信号幅度可以限制在一定范围内。

4，显示组件作为光管，用于VCD，DVD，计算器等显示器。

5.检测二极管检测各种发声装置中的波。

6.继电器二极管用作开关电源的电感和继电器等感性负载中的继电器。

6，变容二极管用于电视机的高频头，起到变容二极管的作用。

二极管是点接触型和表面接触型。

两种类型的点接触二极管由非常薄的金属接触线（例如三价元素铝）和半导体（例如锗）表面接触制成，然后沿正方向通过。

大的瞬时电流使接触线和半导体牢固地焊接在一起，三价金属与坩埚结合形成PN结，形成相应的电极引线，外壳被密封，如图所示图。

由于点接触型二极管导线非常薄，所形成的PN结面积小，因此不能承受高反向电压和大电流。

这种类型的管适合用作高频检测和脉冲数字电路中的开关元件，以及用于小电流整流。

例如，2AP1是点接触型锗二极管，最大整流电流为16 mA，最大工作频率为15OMHz。

表面接触型或结型二极管的PN结通过合金方法或扩散方法形成。

由于该二极管具有大的PN结面积，因此可以承受大电流，但极间电容也很大。

这些器件适用于整流，不适用于高频电路。

例如，2CPl是表面接触型硅二极管，最大整流电流为40OmA，最大工作频率仅为3kHz。

1.正向特性：二极管的VI特性加上正向偏置电压对应于第一段的正向特性。

此时，施加到二极管的正向电压仅为几伏，但流经管的电流相对较大，因此管的正向电阻很小。

然而，在正向特性开始时，由于正向电压很小，外部电场不足以克服PN结的内部电场，因此此时的正向电流几乎为零，二极管表现出来一个很大的阻力，就好像一个门槛。

硅管的栅极电压Vth（也称为死区电压）约为0.5V，氙管的Vth约为0.1V。

当正向电压大于Vth时，内部电场大大减弱，电流迅速增加。

2.反向特性：二极管施加反向偏压时的VI特性。

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴）处于反向电压下。

通过PN结很容易形成反向饱和电流。

然而，由于少数载流子的数量较少，典型硅管的反向电流远小于硅管的反向电流，其数量级为：硅管nA水平，歧管管大mA水平。

当温度升高时，由于少数载流子的增加，反向电流将急剧增加。

3，反向击穿特性：二极管击穿的VI特性当增加反向电压时，由于在一定的温度条件下，少数载流子的数量是有限的，所以初始反向电流变化不大，当反向时电压增加到一定的尺寸，反向电流急剧增加。

这被称为二极管的反向击穿，对应于第三段，其原因与PN结击穿相同。

1.最高反向工作电压当二极管两端的反向电压高到一定值时，管子将被击穿，单向传导能力将会丢失。

为确保安全使用，规定了最高的反向工作电压值。

例如，IN4001二极管的反向耐压为50V，IN4007的反向耐压为1000V。

2.反向电流反向电流是指在指定温度和最高反向电压的作用下流过二极管的反向电流。

反向电流越小，管的单向导电性越好。

值得注意的是，反向电流与温度有密切关系，每升高10°C，反向电流就会加倍。

例如，2AP1型锗二极管在25°C时的反向电流为250uA，温度上升至35°C，反向电流为500uA，依此类推。

在75°C时，其反向电流已达到8mA。

它不仅失去了单向导电性，而且还使管过热和损坏。

另一个例子是2CP10硅二极管，其在25°C时的反向电流仅为5uA，当温度升至75°C时，反向电流为160uA。

因此，硅二极管在高温下具有比锗二极管更好的稳定性。

3.最大整流电流是指在长期连续运行期间允许二极管通过的最大正向电流值。

该值与PN结面积和外部散热条件有关。

当电流通过管子时，模具会升温并且温度升高。

当温度超过允许极限时（硅管约为141，歧管约为90），模具过热并损坏。

因此，在规定的散热条件下，二极管不应超过二极管的最大整流电流值。

例如，常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

4.动态电阻Rd二极管特性曲线静态工作点Q附近的电压变化与相应电流的变化量之比。