1. FET可用于放大。
由于FET晶体管的输入阻抗高，所以耦合电容器可以具有小容量，并且不必使用电解电容器。
2. FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级，用于阻抗变换。
3.场效应晶体管可用作可变电阻器。
场效应晶体管可以方便地用作恒流源。
5. FET可用作电子开关。
1.输入电阻高，可达107~1015Ω。
2.导电是大多数载流子，也称为单极晶体管。
3.体积小，重量轻，功耗低，寿命长。
4.噪音低，热稳定性好，抗辐射性强，制造工艺简单。
5.广泛用于大规模集成电路应用。
将万用表转为R×100，红色笔连接到源S，黑色笔连接到漏极D，这相当于向FET添加1.5V电源电压。
此时，指针指示D-S极间电阻值。
然后，用手指夹住栅极G，并将人体的感应电压作为输入信号施加到栅极。
由于管的放大，UDS和ID都将改变，这相当于D-S电极之间的电阻变化。
可以观察到手具有大振幅摆动。
如果手被挤压时手稍微摆动，则管的放大能力较弱;如果手不动，则管子损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，并且当用电阻锉测量时，不同FET三极管的工作点可能不同，当门被夹住时，指针可能向右摆动或向左摆动用手。
少量管RDS减少，导致手向右摆动，大多数管的RDS增加，手向左摆动。
无论手摆动的方向如何，只要有明显的摆动，该管就具有放大能力。
该方法也适用于测量MOS管。
为了保护MOS FET晶体管，必须用手握住螺丝刀绝缘手柄，金属杆用于接触栅极，以防止人体直接在栅格上感应电荷而损坏管子。
在每次测量MOS管之后，G-S结电容器将以少量电荷充电，电压UGS建立，然后仪表针可能不移动。
此时，G-S极可能短路。
